Datasheet下载- 型号： BF1211WR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1211WR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1211WR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1211WR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1211WR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1211WR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1211WR,115 是 NXP USA Inc. 推出的硅N沟道RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频、低噪声、小信号放大应用优化。其典型工作频率达1 GHz以上，具有低噪声系数（NF ≈ 1.1 dB @ 900 MHz）、高增益（GT ≈ 15 dB @ 900 MHz）和良好输入/输出匹配特性，采用SOT323（SC-70）微型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。 主要应用场景包括： • 蜂窝通信前端：用于GSM、EDGE、LTE Band 8（900 MHz）等2G/4G移动终端的接收链路低噪声放大器（LNA）； • 无线基础设施：小型基站（pico/femtocell）、中继器及物联网网关中的RF接收通道预放级； • ISM频段设备：如868/915 MHz工业无线传感器、智能电表、RFID读写器等低功耗、低成本接收模块； • 汽车电子：TPMS（胎压监测系统）接收前端及远程无钥匙进入（RKE）接收电路； • 消费类无线产品：蓝牙/Wi-Fi共存系统中的辅助LNA，或对尺寸与功耗敏感的便携式RF接收设备。 该器件不适用于高功率发射或开关应用，设计时需注意ESD防护（Class 1C HBM）及PCB布局对RF性能的影响。整体定位为高性能、小体积、低功耗的射频接收端核心有源器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1211WR,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-1961-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 29dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 6V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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