Datasheet下载- 型号： BF1201WR,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1201WR,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1201WR,135价格参考。NXP SemiconductorsBF1201WR,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1201WR,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1201WR,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1201WR,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款硅 N 沟道 RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频、低噪声、小信号放大应用优化。其典型工作频率范围为 1–2 GHz，具备低噪声系数（NF ≈ 1.2 dB @ 900 MHz）、高增益（Gₐ ≈ 16 dB @ 900 MHz）和优良的输入/输出匹配特性（内置匹配电容，采用 SOT323 封装）。 主要应用场景包括： ✅ 蜂窝通信前端：用于 GSM/EDGE、UMTS（Band I/II/III/IV/V）等 900 MHz / 1.8–1.9 GHz 频段的接收机低噪声放大器（LNA）； ✅ 无线基础设施：小型基站（Small Cell）、微微蜂窝（Pico/Femto Cell）中的射频接收链路； ✅ 物联网（IoT）与 LPWAN 设备：支持 NB-IoT、LTE-M 等窄带蜂窝通信的终端射频前端； ✅ 汽车电子：车载远程信息处理（Telematics）、V2X（部分子频段）接收模块； ✅ 消费类无线设备：如 GPS/GNSS 辅助接收、Wi-Fi 2.4 GHz 前端（需外围匹配调整）及便携式对讲机接收通道。 该器件强调高可靠性、低功耗（ID≈5 mA 典型偏置）与小型化设计，适合空间受限的便携式与嵌入式射频系统。不适用于高功率发射或开关应用（非功率MOSFET）。实际使用需严格遵循 NXP 提供的参考电路、PCB 布局建议及 ESD 防护规范。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1201WR,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 934055961135 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | 29dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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