【未分类_BF1201R,215】封装/厂家_BF1201R,215中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BF1201R,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BF1201R,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1201R,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1201R,215封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BF1201R,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1201R,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BF1201R,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款硅 N 沟道 RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频小信号放大应用优化。其典型工作频率达 1 GHz，具有低噪声系数（NF ≈ 1.2 dB @ 900 MHz）、高增益（Gₐ ≈ 16 dB @ 900 MHz）和优良的输入/输出匹配特性（内置匹配结构，SOT-323 封装，集成片上匹配电容）。

主要应用场景包括：  
• 蜂窝通信前端：用于 GSM、EDGE、LTE 终端设备（如手机、物联网模组）中的接收链路低噪声放大器（LNA），提升弱信号接收灵敏度；  
• 无线基础设施：小型基站（pico/femtocell）、中继器及射频拉远单元（RRU）中的接收通道前置放大；  
• ISM 频段设备：适用于 868 MHz / 915 MHz 等免许可频段的无线传感器网络（WSN）、智能电表、工业遥控等低功耗、高可靠性接收模块；  
• 汽车电子：车载远程无钥匙进入（RKE）、TPMS（胎压监测）接收器中的射频前端 LNA；  
• 消费类无线产品：蓝牙/Wi-Fi 共存系统中的辅助接收通道或分集接收支路。

该器件采用 ESD 保护设计（HBM > 2 kV），支持单电源 2.7–5 V 工作，静态电流仅约 5 mA，兼顾高性能与低功耗，适合电池供电或空间受限的便携式射频应用。注意：不适用于大功率发射或开关应用，非增强型（需外部偏置）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BF1201R,215
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT-143R
其它名称	568-6149-6
功率-输出	-
包装	Digi-Reel®
噪声系数	1dB
增益	29dB
封装/外壳	SOT-143R
晶体管类型	N 通道双门
标准包装	1
电压-测试	5V
电压-额定	10V
电流-测试	15mA
频率	400MHz
额定电流	30mA