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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1108R,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1108R,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1108R,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BF1108R,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF1108R,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1108R,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款硅 N 沟道 RF MOSFET(射频场效应晶体管),专为高频、小信号放大应用优化。其典型工作频率范围为 30 MHz 至 1 GHz,具备低噪声系数(NF ≈ 1.5 dB @ 450 MHz)、高增益(Gₐ ≈ 16 dB @ 450 MHz)和良好输入/输出匹配特性(S-参数已优化),采用 SOT-23 小型表面贴装封装,适合高密度 PCB 设计。 主要应用场景包括: ✅ VHF/UHF 频段接收前端放大器:如无线对讲机、车载电台、业余无线电设备中的第一级低噪声放大器(LNA); ✅ ISM 频段射频模块:用于 433 MHz、868 MHz、915 MHz 等免许可频段的无线传感器网络(WSN)、智能电表、RFID 读写器接收链路; ✅ 模拟电视与数字地面广播(DTMB/DVB-T)调谐器中频/射频预放; ✅ 低功耗便携式射频设备:因工作电流低(ID ≈ 5–10 mA,VDS = 5 V),适用于电池供电的窄带通信终端。 需注意:该器件为小信号器件,非功率放大用途(P1dB ≈ 10 mW),不适用于发射末级或高线性度宽带应用。设计时建议参考 NXP 官方评估板(如 OM11087)及推荐的偏置电路与匹配网络,以确保稳定性与最佳噪声性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC RF SWITCH SOT-143R射频MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 mA |
| Id-连续漏极电流 | 10 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF1108R,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF1108R,215 |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 7 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143R |
| 其它名称 | 568-1958-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 封装/箱体 | SC-61B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极连续电流 | 10 mA |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 3V |
| 电流-测试 | - |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | 7 V |
| 零件号别名 | BF1108R T/R |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 10mA |