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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC879,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC879,112价格参考。NXP SemiconductorsBC879,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC879,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC879,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BC879,112的晶体管由品牌NXP USA Inc.生产,属于双极型晶体管(BJT)中的单晶体管类别。该晶体管主要为PNP型,适用于通用开关和放大电路应用。 BC879,112具有良好的频率响应特性和较高的电流增益,常用于中低功率的模拟电路中,例如音频放大器、信号处理电路和电源管理模块。此外,该器件也适用于数字电路中的开关元件,如驱动LED、继电器或小型电机等负载。 由于其采用SOT-23小型封装,适合在空间受限的便携式电子设备中使用,如智能手机、平板电脑、传感器模块及各类嵌入式系统。该晶体管工作温度范围较宽,可在工业级环境中稳定运行,因此也广泛应用于工业控制和汽车电子系统中,如车载传感器、ECU模块及仪表盘控制电路。 总之,BC879,112是一款性能稳定、应用广泛的通用型BJT晶体管,适用于多种电子设备和系统中的信号放大与开关控制功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 80V 1A TO-92 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BC879,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.8V @ 1mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 2000 @ 500mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 933467630112 |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50nA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |