Datasheet下载- 型号： BC858CDW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC858CDW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC858CDW1T1价格参考。ON SemiconductorBC858CDW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC858CDW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC858CDW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC858CDW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-363（SC-70-6）封装，内含两个PNP型晶体管，共发射极配置，匹配性好、尺寸紧凑。其典型应用场景包括： - 信号切换与逻辑电平转换：适用于低功耗便携设备（如手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的GPIO扩展、LED驱动控制或I²C/SPI总线缓冲。 - 电流镜与偏置电路：因两晶体管工艺匹配度高，常用于精密模拟电路（如LDO稳压器、传感器信号调理电路）中构建匹配电流源或基准偏置网络。 - 小信号放大与倒相：在音频前端、传感器接口等对增益要求不高但需双路同步处理的场合，实现简单放大或互补控制。 - 电源管理辅助功能：如电池供电设备中的使能控制、负载开关驱动、充电状态指示电路等。 该器件具有低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）、高直流电流增益（hFE = 220–475）、宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），支持无铅回流焊，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（部分批次），亦可用于工业控制和汽车电子中的非安全关键子系统。注意：不适用于大功率开关或高频射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 30V 100MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BC858CDW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BC858CDW1T1 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商