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- 型号： BC847BDW1T3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BDW1T3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BDW1T3价格参考。ON SemiconductorBC847BDW1T3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC847BDW1T3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BDW1T3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847BDW1T3 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-363（SC-70-6）封装，内含两个独立的NPN晶体管，共发射极配置，具有匹配特性（如hFE、VBE等参数高度一致）。其典型应用场景包括： - 信号切换与逻辑电平转换：常用于微控制器I/O口驱动，实现低电压（如3.3V/5V）到更高电压或负载的开关控制，如LED指示灯、小功率继电器或蜂鸣器驱动。 - 差分放大与电流镜电路：得益于双管匹配性，适用于精密模拟前端，如传感器信号调理中的简易差分对、偏置电流生成或镜像电流源。 - 数字接口缓冲/电平移位：在通信接口（如UART、I²C上拉增强）中用作双向缓冲或开漏输出扩展。 - 便携式与空间受限设备：SOT-363超小型封装适合智能手机、可穿戴设备、物联网节点等对PCB面积敏感的应用。 该器件具备高增益（hFE = 220–475 @ IC=2mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1V @ IC=10mA）、宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），并符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，亦可用于车载信息娱乐系统或车身电子中的非安全关键信号处理。注意其最大集电极电流为100mA（连续），不适用于大功率开关场景。
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