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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BC517ZL1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC517ZL1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC517ZL1G价格参考。ON SemiconductorBC517ZL1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC517ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC517ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC517ZL1G（ON Semiconductor）是一款NPN型达林顿晶体管（Darlington Transistor），具有高电流增益（hFE典型值达30,000）、低饱和压降（VCE(sat)约0.8V @ IC = 100mA）和中等功率驱动能力（IC(max) = 500mA，Ptot ≈ 625mW）。其主要应用场景包括： - 小功率开关控制：常用于微控制器（如Arduino、PIC、STM32）IO口驱动继电器、电磁阀、LED灯条或小型直流电机等负载，因高β值可大幅降低前级驱动电流需求（仅需几微安至几十微安即可饱和导通）。 - 传感器信号放大与接口电路：适用于光电开关、霍尔传感器等弱信号输出的后级电流放大，提升带载能力。 - 电源管理辅助电路：在低压线性稳压器、电池电量指示、过流检测等模拟前端中用作电流放大或电平转换开关。 - 工业与家电控制模块：如智能插座、温控器、风扇调速器等对成本敏感、功耗适中且无需高频开关（fT ≈ 100kHz，不适用于高频PWM）的中低速开关场合。 注意：该器件为通孔封装（TO-92，ZL1G后缀表示无卤素、符合RoHS），非SMT；不适用于高频、大功率或精密线性放大场景。设计时需注意散热及基极限流电阻选值，避免达林顿结构固有的开关延迟和关断拖尾问题。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 30V 1A TO-92达林顿晶体管 1A 30V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BC517ZL1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC517ZL1G |
| PCN过时产品 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 100µA， 100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30000 @ 20mA，2V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | BC517 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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