Datasheet下载- 型号： BAT54W-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAT54W-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAT54W-7-F价格参考￥0.13-￥0.13。Diodes Inc.BAT54W-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BAT54W-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAT54W-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BAT54W-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款肖特基二极管，属于二极管 - 整流器 - 单类别。其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理：BAT54W-7-F 适合用于低电压、低功耗的电源管理电路中，例如便携式电子设备的电池充电保护电路。其低正向压降特性可以减少功率损耗，提高效率。 2. 信号整流：该二极管适用于高频小信号整流场景，如通信设备中的信号检测和调制解调电路。其快速恢复时间和低电容使其在高频应用中表现出色。 3. 反向保护：在直流供电系统中，BAT54W-7-F 可用作反向电流保护二极管，防止因电源极性接反导致的电路损坏。 4. 续流保护：在开关电源或电机驱动电路中，该二极管可以用作续流二极管，吸收感性负载产生的反电动势，保护开关器件（如 MOSFET 或 IGBT）。 5. 数据线保护：BAT54W-7-F 还可用于 USB 或其他数据接口的静电放电 (ESD) 保护，提供瞬态电压抑制功能，确保数据传输的稳定性。 6. 音频电路：在一些低频音频电路中，该二极管可用于信号整流或偏置调整，确保音频信号的质量和稳定性。 总之，BAT54W-7-F 凭借其低正向压降、快速恢复特性和小型封装（SOT-363），非常适合应用于便携式设备、消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域中对效率和空间要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOT323肖特基二极管与整流器 30V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated BAT54W-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAT54W-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 100mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 10pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 25V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | BAT54W-FDITR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 5 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA at 25 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 1 V at 0.1 A |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | 625°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 200mA（DC） |
| 系列 | BAT54W |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Single |
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