Datasheet下载- 型号： ATP201-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATP201-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATP201-TL-H价格参考。ON SemiconductorATP201-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATP201-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATP201-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATP201-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.8Ω @ VGS = 4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.1nC）和高开关效率等特点。其额定电压为20V，连续漏极电流达3.5A（TA=25°C），适用于低压、中电流、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池充放电保护电路； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流——在升压/降压型BUCK-BOOST或Boost转换器中替代肖特基二极管，提升能效； ✅ LED驱动控制——用于背光调光或RGB LED的PWM开关驱动，响应快、功耗低； ✅ 马达驱动与继电器驱动——驱动微型直流电机、振动马达或小功率电磁阀等感性负载； ✅ USB端口过流保护及热插拔控制——配合限流IC实现智能电源开关功能。 该器件具备ESD防护（HBM ≥ 2kV）、无铅且符合RoHS标准，适合自动化贴片生产。其紧凑尺寸与低功耗特性，特别适配对PCB面积和能效要求严苛的消费类及IoT终端产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATP201-TL-H |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 985pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | ATPAK |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Ta） |
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