Datasheet下载- 型号： AS4C512M8D3-12BIN
- 制造商： ALLIANCE MEMORY INC
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AS4C512M8D3-12BIN由ALLIANCE MEMORY INC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AS4C512M8D3-12BIN价格参考。ALLIANCE MEMORY INCAS4C512M8D3-12BIN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AS4C512M8D3-12BIN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AS4C512M8D3-12BIN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Alliance Memory, Inc. 是一家专注于提供高性能存储解决方案的公司，其产品广泛应用于多个行业。型号为 AS4C512M8D3-12BIN 的存储器属于DRAM类别，容量为512M x8，工作频率为12ns，采用工业级封装，适用于对性能和稳定性要求较高的场景。 该型号主要应用于以下领域： 1. 通信设备：如基站、路由器和交换机等，用于高速数据缓存和临时存储，保障数据传输的稳定性和实时性。 2. 工业控制：用于工业自动化设备、PLC（可编程逻辑控制器）和智能仪表，满足复杂控制任务中对大容量高速存储的需求。 3. 网络设备：如防火墙、网关和服务器等，作为系统运行时的主存储器，提升处理效率和响应速度。 4. 医疗设备：如影像诊断设备和监护系统，用于快速处理和存储大量医疗数据，确保系统稳定运行。 5. 车载电子：如车载信息娱乐系统和智能驾驶辅助系统，满足严苛环境下的可靠运行需求。 该存储器具备高稳定性和宽温工作范围，适合工业级应用环境，是高性能嵌入式系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SDRAM DDR3 512M X 8 78-FBGA动态随机存取存储器 4G, 1.5V, 1600Mhz 512M x 8 DDR3 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Alliance MemoryAlliance Memory, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,动态随机存取存储器,Alliance Memory AS4C512M8D3-12BIN- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AS4C512M8D3-12BINAS4C512M8D3-12BIN |
| 产品种类 | 动态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA （9x10.5） |
| 其它名称 | 1450-1107 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Alliance Memory |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 4G（512M x 8）512 MB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 封装/箱体 | TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 220 |
| 接口 | 并联 |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大时钟频率 | 1600 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 220 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 电源电压-最大 | 1.5 V |
| 电源电压-最小 | 1.5 V |
| 类型 | DDR3 |
| 系列 | AS4C512M8D3 |
| 组织 | 512 M x 8 |
| 访问时间 | 12 ns |
| 速度 | 800MHz |
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