Datasheet下载- 型号： APTM100DA18T1G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APTM100DA18T1G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTM100DA18T1G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTM100DA18T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APTM100DA18T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APTM100DA18T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APTM100DA18T1G 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款功率 MOSFET 器件，属于晶体管中的场效应晶体管（FET）类别。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，适用于通信设备、服务器及工业控制系统中的电源模块。 2. 电机控制：用于电动工具、电动车及自动化设备中的电机驱动电路，提供高效的开关控制功能。 3. 负载开关与电源管理：在电池供电设备中作为负载开关使用，实现对不同电路模块的高效电源管理。 4. 汽车电子：满足车载电源系统和辅助设备对高可靠性和高效率的需求，例如车载充电器、电池管理系统等。 5. 工业自动化：用于PLC、工业变频器及其他控制设备中，支持高频开关操作，提升系统响应速度和效率。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压特性，适合高温环境运行，适用于要求稳定性和耐用性的高性能应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APTM100DA18T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 570nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 216 毫欧 @ 33A，10V |
| 供应商器件封装 | SP1 |
| 功率-最大值 | 657W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP1 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A |
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