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详细数据请看参考数据手册
- 型号： APTGT35DA120D1G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APTGT35DA120D1G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTGT35DA120D1G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTGT35DA120D1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APTGT35DA120D1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APTGT35DA120D1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IGBT 1200V 55A 205W D1 |
| 产品分类 | IGBT - 模块 |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APTGT35DA120D1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 2.5nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，35A |
| 供应商器件封装 | D1 |
| 功率-最大值 | 205W |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | D1 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 55A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 5mA |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | 单一 |
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