Datasheet下载- 型号： APT30M19JVFR
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT30M19JVFR由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT30M19JVFR价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT30M19JVFR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT30M19JVFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT30M19JVFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6206-apt30m19jvfr-b-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APT30M19JVFR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS V® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 975nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 功率-最大值 | 700W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A |
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