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  • 型号: APT2012P3BT
  • 制造商: Kingbright
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APT2012P3BT由Kingbright设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT2012P3BT价格参考。KingbrightAPT2012P3BT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载APT2012P3BT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT2012P3BT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
3D型号

http://www.kingbrightusa.com/images/catalog/3D/Solidworks/APT2012.sldprthttp://www.kingbrightusa.com/images/catalog/3D/ProE/APT2012.prt.1http://www.kingbrightusa.com/images/catalog/3D/IGES/APT2012.IGShttp://www.kingbrightusa.com/images/catalog/3D/STEP/APT2012.STEP

产品目录

传感器,变送器光电子产品

描述

PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD光电晶体管 Phototransistor Blue Trans 1 mA

产品分类

光学传感器 - 光电晶体管光学探测器和传感器

品牌

Kingbright Company LLCKingbright

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

光电晶体管,Kingbright APT2012P3BT-

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产品型号

APT2012P3BTAPT2012P3BT

上升时间

15 us

下降时间

15 us

产品

Phototransistors

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

光电晶体管

其它名称

754-1436-6

功率-最大值

100mW

商标

Kingbright

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

0805(2012 公制)

封装/箱体

0805

工厂包装数量

2000

最大功率耗散

100 mW

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 40 C

朝向

顶视图

标准包装

1

波长

-940 nm

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-暗(Id)(最大值)

100nA

电流-集电极(Ic)(最大值)

1mA

视角

-

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—射极击穿电压

30 V

集电极—射极饱和电压

0.8 V

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