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产品简介:
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AFT26HW050SR3是由NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管,主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在26GHz左右的高频通信系统,广泛用于微波通信、点对点无线通信、卫星通信、雷达系统和测试测量设备等场景。 该型号器件具有高增益、高效率和良好的线性性能,适合在需要高输出功率和稳定性的射频系统中使用。由于其高频特性,AFT26HW050SR3常用于毫米波通信系统,如5G通信基础设施、高速无线接入网络等前沿科技领域。此外,其坚固的设计也适用于工业环境下的高可靠性应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 2.6GHZ 9W NI780-4S4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT26HW050SR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4S4 |
| 功率-输出 | 9W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4S4 |
| 晶体管类型 | LDMOS(双) |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.62GHz ~ 2.69GHz |
| 额定电流 | 10µA |