Datasheet下载- 型号： AFT23S160W02SR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT23S160W02SR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT23S160W02SR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT23S160W02SR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT23S160W02SR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT23S160W02SR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT23S160W02SR3 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在 UHF（特高频）至微波频段的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：用于 4G LTE、5G 等移动通信基础设施中的射频功率放大器模块，提供高线性度和高效率输出。 2. 广播发射设备：如 FM/TV 广播发射机，作为高功率射频放大器使用，具备良好的稳定性和可靠性。 3. 工业与商业无线电设备：例如专业对讲机、中继站等系统，支持高质量语音及数据传输。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器或功率放大器模块，满足实验室或生产环境中对高精度信号的需求。 5. 航空航天与国防系统：适用于雷达、电子战设备和通信中继系统，具备较高的耐用性和恶劣环境适应能力。 该器件采用先进的 LDMOS 技术，具有高增益、高效率和良好热稳定性等特点，适合需要高可靠性与高性能的射频应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF NCH 65V 2400MHZ NI780S-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT23S160W02SR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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