Datasheet下载- 型号： AFT23H200-4S2LR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT23H200-4S2LR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT23H200-4S2LR6价格参考。Freescale SemiconductorAFT23H200-4S2LR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT23H200-4S2LR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT23H200-4S2LR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT23H200-4S2LR6 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频射频领域，具有高效率、低失真和宽频率范围的特点。以下是其典型的应用场景： 1. 射频功率放大器 AFT23H200-4S2LR6 可用于设计射频功率放大器，适用于无线通信系统中的信号增强。其高性能特性使其适合在基站、中继站和其他无线设备中提供稳定的功率输出。 2. 无线通信设备 该器件广泛应用于各种无线通信设备，例如蜂窝网络基础设施（如 4G 和 5G 基站）、对讲机以及卫星通信系统。它能够处理高频信号并保持良好的线性度和效率。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 在 ISM 频段应用中，这款 MOSFET 可用于无线能量传输、射频加热设备以及医疗成像系统等需要高功率射频信号的场合。 4. 雷达和导航系统 AFT23H200-4S2LR6 的高频性能使其成为雷达和导航系统的理想选择，可用于信号发射和接收模块中，确保精确的距离测量和方向定位。 5. 测试与测量设备 在实验室环境中，该器件可集成到矢量信号发生器、频谱分析仪等高端测试设备中，以支持复杂射频信号的生成和分析。 6. 物联网 (IoT) 设备 随着 IoT 技术的发展，该型号也可用于低功耗、长距离无线通信模块的设计，为智能家居、智慧城市和工业自动化提供可靠的射频解决方案。 总结来说，AFT23H200-4S2LR6 凭借其出色的射频性能，在通信、工业、医疗和测试设备等领域具有广泛的适用性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN RF 2.3GHZ 45W NI1230-4S2L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT23H200-4S2LR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230-4LS2L |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.3dB |
| 封装/外壳 | NI-1230-4LS2L |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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