【未分类_AFT21H350W03SR6】封装/厂家_AFT21H350W03SR6中文资料_价格

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型号： AFT21H350W03SR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT21H350W03SR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT21H350W03SR6价格参考。Freescale SemiconductorAFT21H350W03SR6封装/规格：未分类，暂无。您可以下载AFT21H350W03SR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT21H350W03SR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 AFT21H350W03SR6 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类别，且专注于射频 (RF) 应用。以下是该型号可能的应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - 该器件适用于无线通信系统中的射频功率放大器设计。它能够高效地放大高频信号，满足基站、中继器和其他无线设备的需求。
   - 典型应用场景包括 GSM、CDMA、LTE 和 5G 基站的功率放大模块。

 2. 雷达系统
   - 在军事和民用雷达系统中，AFT21H350W03SR6 可用于信号发射和接收的功率放大，确保高增益和低失真性能。
   - 例如：气象雷达、空中交通管制雷达或车载雷达系统。

 3. 无线能量传输
   - 该 MOSFET 可用于无线充电技术中的射频能量传输，尤其是在需要高效率和高频率操作的场合。
   - 例如：电动汽车无线充电或物联网设备的能量传输。

 4. 射频测试与测量设备
   - 在实验室环境中，此器件可用于制造高性能的射频测试仪器，如信号发生器、频谱分析仪等。
   - 它能提供稳定的射频输出，支持精确的测量需求。

 5. 卫星通信
   - 卫星通信系统需要高效的射频功率放大器来传输数据。AFT21H350W03SR6 可用于地面站设备或卫星载荷中的射频模块。
   - 例如：Ka 波段或 Ku 波段通信系统。

 6. 工业射频应用
   - 在工业领域，该器件可用于高频加热、等离子体生成或其他需要射频能量的应用。
   - 例如：射频焊接机、射频等离子清洗设备。

 7. 业余无线电 (Ham Radio)
   - 业余无线电爱好者可以使用该器件构建高性能的射频发射机或线性放大器，以提升信号覆盖范围和质量。

 性能特点：
- 高频率操作：适用于 GHz 范围内的射频应用。
- 高效率：在功率放大时保持较低的功耗和热量产生。
- 低失真：确保信号的完整性和清晰度。
- 可靠性强：适合长时间运行的严苛环境。

总结来说，AFT21H350W03SR6 主要应用于需要高效率、高频率和低失真的射频功率放大场景，广泛服务于通信、工业、国防和科研领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF N-CH 65V 2170MHZ NI1230S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	AFT21H350W03SR6
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S
功率-输出	63W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16.4dB
封装/外壳	NI-1230S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	150
电压-测试	28VDC
电压-额定	65VDC
电流-测试	750mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	10µA