Datasheet下载- 型号： AFT20S015GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT20S015GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT20S015GNR1价格参考。Freescale SemiconductorAFT20S015GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT20S015GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT20S015GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的AFT20S015GNR1是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频信号处理和放大场景。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 射频功率放大器：该器件适用于无线通信设备中的射频功率放大器，例如基站、中继器和其他需要高效放大射频信号的系统。其高性能和低失真特性使其成为理想选择。 2. 无线通信系统：在各种无线通信标准（如LTE、5G、Wi-Fi等）中，AFT20S015GNR1可用于信号的发射和接收路径中，提供高增益和线性度，确保高质量的数据传输。 3. 雷达系统：在军事和民用雷达应用中，这款MOSFET可以用于信号放大，支持远距离目标检测和跟踪。 4. 卫星通信：该器件适合于卫星通信系统的地面站设备，用于信号的上行和下行链路放大，确保信号强度和稳定性。 5. 测试与测量设备：在实验室环境中，AFT20S015GNR1可用于射频测试仪器中，如信号发生器和频谱分析仪，提供精确的信号放大功能。 6. 工业和科学应用：在一些需要高频能量的应用中，例如等离子体生成或材料加热，该器件可以作为功率放大器的核心组件。 总之，AFT20S015GNR1凭借其优异的射频性能和可靠性，广泛应用于需要高效射频信号处理的各种领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN RF 1.8-2.7G 1.5W TO270-2G |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT20S015GNR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.6dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 132mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 2.69GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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