Datasheet下载- 型号： AFT20P060-4GNR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT20P060-4GNR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT20P060-4GNR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT20P060-4GNR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT20P060-4GNR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT20P060-4GNR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为AFT20P060-4GNR3的NXP USA Inc.晶体管属于射频MOSFET类别，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在几百兆赫兹至数吉赫兹范围内的无线通信系统，如蜂窝基站、广播发射设备和工业射频能量应用等场景。 其典型应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于4G/5G蜂窝网络基站中的射频功率放大器模块，提供高线性度和效率，满足现代通信标准对信号质量和带宽的要求。 2. 广播发射机：在FM或数字音频广播（DAB）系统中作为主功率放大器件，具备高可靠性和输出功率稳定性。 3. 测试与测量设备：用于射频信号发生器或放大器模块，支持实验室或生产环境中的高频信号测试需求。 4. 航空航天与国防：适用于雷达、电子战系统及军用通信设备中，具有良好的热稳定性和抗干扰能力。 5. 工业加热与照明：在射频能量应用如等离子体生成、工业加热设备中作为高频电源开关元件。 该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术制造，具备高增益、低失真和良好的热管理性能，适合高功率密度和高可靠性要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF LDMOS 6.3W OM780-4GW |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT20P060-4GNR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | OM780-4 |
| 功率-输出 | 6.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.9dB |
| 封装/外壳 | OM780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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