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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ADP3611MNR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ADP3611MNR2G价格参考。ON SemiconductorADP3611MNR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ADP3611MNR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ADP3611MNR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌不存在,您所提型号ADP3611MNR2G实际为Analog Devices(ADI)(原属ON Semiconductor,但该器件由ADI设计并持续供货)生产的PMIC栅极驱动器。需澄清:ON Semiconductor(安森美)曾收购部分ADI电源产品线,但ADP3611系列始终归属ADI品牌,非“ONS”品牌。 ADP3611MNR2G是一款双通道、高速、低侧MOSFET栅极驱动器,具有4 A峰值拉/灌电流、25 ns典型传播延迟、宽工作电压(4.5 V–18 V),采用紧凑型8引脚DFN封装。 主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):如同步Buck、Boost、半桥拓扑中驱动下管MOSFET,提升效率与开关速度; ✅ 电机驱动电路:用于BLDC或步进电机驱动器的功率级,配合高端驱动器(如ADP362x)构成完整H桥控制; ✅ DC-DC模块与POL(负载点)转换器:在通信设备、服务器电源、工业PLC等对动态响应和能效要求高的场景中,驱动高频(可达5 MHz)功率MOSFET; ✅ LED驱动与激光驱动电源:需快速开通/关断以实现精准电流调制的场合; ✅ 隔离式电源辅助驱动:常与数字隔离器(如ADuM系列)配合,实现安全隔离的栅极信号传输。 注意:该芯片仅支持低侧驱动,不可直接驱动高侧MOSFET;使用时需注意PCB布局、地线分割及驱动回路电感,以防振荡或误触发。 (字数:298)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DVR DUAL HV 8DFN |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ADP3611MNR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN(2x2) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -10°C ~ 100°C |
| 延迟时间 | 30ns |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-电源 | 4.6 V ~ 5.5 V |
| 电流-峰值 | - |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 高端和低端,同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | - |