图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ADP3121JRZ-RL由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ADP3121JRZ-RL价格参考。ON SemiconductorADP3121JRZ-RL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ADP3121JRZ-RL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ADP3121JRZ-RL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ADP3121JRZ-RL 是 Analog Devices(ADI)推出的高性能双通道高速MOSFET栅极驱动器,属于PMIC(电源管理集成电路)中的栅极驱动器类别。其典型应用场景包括: - 同步降压DC-DC转换器:常用于CPU/GPU核心供电(VRM/VRD),驱动上下桥臂N沟道MOSFET,支持高频(可达1–2 MHz)、高效率开关,满足服务器、工作站及高端PC对动态响应与能效的严苛要求。 - POL(负载点)电源模块:适用于FPGA、ASIC、DSP等数字负载的紧邻供电设计,凭借低传播延迟(典型值15 ns)、高拉/灌电流能力(±2 A峰值)和轨到轨输出,确保开关时序精准、减少交叉导通风险。 - 工业与通信设备电源系统:如48 V分布式电源、基站PA偏置电源、光模块供电等,其宽工作电压范围(4.5 V–13.2 V)、-40°C至+125°C工业级温度特性及内置欠压锁定(UVLO)保障系统可靠性。 - 其他应用:电机驱动前端、LED驱动器、半桥/全桥拓扑中的高侧/低侧驱动(需配合自举电路或隔离电源)等。 该器件采用SOIC-8封装(ADP3121JRZ-RL为卷带包装),集成死区时间控制、反向逻辑兼容输入及热关断保护,适用于对功率密度、开关速度与鲁棒性均有较高要求的中高功率电源场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8SOIC门驱动器 1 SYNC BUCK 12V DRVR |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor ADP3121JRZ-RL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ADP3121JRZ-RL |
| PCN过时产品 | |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 35ns |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 电压-电源 | 4.15 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值 | - |
| 电源电压-最大 | 13.2 V |
| 电源电压-最小 | 4.15 V |
| 电源电流 | 5 mA |
| 类型 | High Side/Low Side |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 输出电流 | 7 A |
| 配置 | 高端和低端,同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 35V |