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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供74LV86DB,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74LV86DB,112价格参考。NXP Semiconductors74LV86DB,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载74LV86DB,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有74LV86DB,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的74LV86DB,112是一款逻辑电路芯片,属于“逻辑 - 栅极和逆变器”分类。该型号具体为四组双输入异或(XOR)门逻辑器件,基于先进的低电压CMOS技术设计。以下是其主要应用场景: 1. 数字信号处理 - 数据比较:用于比较两个二进制信号,输出它们是否相同。如果输入不同,则输出高电平;如果相同,则输出低电平。 - 奇偶校验:在数据传输中,通过计算比特流的奇偶性来检测错误。例如,生成或验证奇偶位。 2. 频率合成与调制 - 频率混频:利用异或门实现两路信号的混频操作,适用于音频、射频等领域的信号处理。 - 相位检测:在锁相环(PLL)系统中,作为相位比较器,用于检测输入信号与反馈信号之间的相位差。 3. 加法器与算术逻辑单元(ALU) - 异或门是实现半加器的核心组件之一,用于计算两个二进制数的和(不考虑进位)。在更复杂的全加器中,也会结合其他逻辑门使用。 4. 脉冲与时钟信号生成 - 信号切换:通过异或门生成特定的脉冲序列或修改时钟信号的占空比。 - 伪随机序列生成:在加密算法或测试设备中,利用异或门构建线性反馈移位寄存器(LFSR),生成伪随机序列。 5. 控制逻辑 - 在工业自动化、消费电子等领域,用作简单的控制逻辑单元,根据输入条件生成相应的控制信号。 - 实现基本的开关功能,例如选择不同的信号路径。 6. 低功耗应用 - 由于74LV系列采用低电压CMOS工艺,适合对功耗敏感的应用场景,如便携式设备、物联网(IoT)节点等。 特性总结 - 工作电压范围广(通常为1.65V至5.5V)。 - 高速性能,适合需要快速响应的系统。 - 低静态电流,有助于延长电池寿命。 总之,74LV86DB,112广泛应用于各种数字电路设计中,特别是在需要执行布尔逻辑运算、信号处理和控制功能的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC GATE XOR 4CH 2-INP 14-SSOP逻辑门 QUAD 2-INPUT EXCLSVE |
产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器集成电路 - IC |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,NXP Semiconductors 74LV86DB,11274LV |
数据手册 | |
产品型号 | 74LV86DB,112 |
PCN过时产品 | |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 13ns @ 3.3V,50pF |
产品 | OR |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
产品种类 | 逻辑门 |
传播延迟时间 | 11 ns |
低电平输出电流 | 12 mA |
供应商器件封装 | 14-SSOP |
其它名称 | 74LV86DB |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 14-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
封装/箱体 | SOT-337 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
工厂包装数量 | 1092 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极数量 | 4 Gate |
标准包装 | 78 |
特性 | - |
电压-电源 | 1 V ~ 5.5 V |
电流-输出高,低 | 12mA,12mA |
电流-静态(最大值) | 40µA |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 1 V |
电路数 | 4 |
输入/输出线数量 | 2 / 1 |
输入数 | 2 |
输入线路数量 | 2 |
输出线路数量 | 1 |
逻辑电平-低 | 0.3 V ~ 0.8 V |
逻辑电平-高 | 0.9 V ~ 2 V |
逻辑类型 | XOR(异或) |
逻辑系列 | LV |
零件号别名 | 74LV86DB |
高电平输出电流 | - 12 mA |