【未分类_74HCT08DR2GH】封装/厂家_74HCT08DR2GH中文资料_价格

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型号： 74HCT08DR2GH
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供74HCT08DR2GH由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74HCT08DR2GH价格参考。ON Semiconductor74HCT08DR2GH封装/规格：未分类，暂无。您可以下载74HCT08DR2GH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有74HCT08DR2GH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

74HCT08DR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高速CMOS四路2输入与门（AND Gate），属于逻辑 - 栅极和逆变器类别。其典型应用场景包括：

- 数字系统基础逻辑控制：用于实现条件判断与信号协同，如使能控制、地址译码、状态同步等，常见于微控制器外围电路、FPGA/CPLD接口逻辑中。

- 工业控制与自动化设备：在PLC模块、传感器信号调理电路中，将多个输入信号（如限位开关、光电传感器）进行逻辑“与”运算，确保仅当所有安全条件满足时才触发执行动作。

- 通信接口电平转换与握手管理：HCT系列兼容TTL输入电平（V_IL ≤ 0.8 V，V_IH ≥ 2.0 V），可无缝对接5 V TTL/CMOS系统；常用于RS-232、SPI/I²C总线的使能选通或数据有效判定。

- 消费电子与家电控制板：如智能电视主板、洗衣机主控板中，用于按键组合识别、模式互锁（如“启动+门关好”才运行）、LED驱动使能等低功耗、高噪声容限场景。

该器件采用SOIC-14封装（DR2G后缀），工作电压4.5–5.5 V，具有高抗干扰能力（±4 kV HBM ESD）、低静态电流（<1 µA）及快速传播延迟（典型13 ns @ 5 V），适用于对可靠性、兼容性与成本敏感的中速数字系统。注意：不适用于3.3 V直接供电系统（需电平转换）。

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