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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供74AHCT32D,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74AHCT32D,118价格参考。NXP Semiconductors74AHCT32D,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载74AHCT32D,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有74AHCT32D,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia 的 74AHCT32D,118 是一款双电源(5V)高速 CMOS 四路2输入或门(OR Gate),属于逻辑门电路中的“栅极和逆变器”类别。其典型应用场景包括: - 数字系统基础逻辑控制:用于工业控制板、嵌入式系统主板中实现信号合并、使能判断或条件触发(如任一传感器激活即输出高电平)。 - 电平转换与接口缓冲:兼容TTL输入电平(VIH ≥ 2.0V,VIL ≤ 0.8V),可安全连接微控制器(如STM32、AVR)、FPGA或旧式TTL器件,起到电平适配与驱动增强作用。 - 噪声抑制与信号整形:利用其施密特触发输入特性(注:74AHCT32为标准输入,非施密特;若需抗噪建议选74AHCT14等),但其较快传播延迟(典型tPD = 3.4 ns @ VCC=5V)仍适用于中速数字信号整形与同步。 - 电源管理与状态指示逻辑:在电源监控电路中组合多路使能信号(如“主电源 OR 备用电池”有效时启动负载);或驱动LED、继电器驱动芯片的使能端。 - 消费电子与通信设备:广泛应用于机顶盒、打印机、网络交换模块等需紧凑封装(SO14)与低功耗(静态电流Icc < 1 µA)的场景。 该器件工作温度范围为−40°C 至 +125°C,符合AEC-Q100标准(部分批次),亦适用于汽车电子辅助系统(如车身控制模块中的非安全关键逻辑)。注意:非施密特输入,对慢变或噪声信号需外加滤波。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC GATE OR 4CH 2-INP 14-SO逻辑门 QUAD 2-INPUT OR GATE |
| 产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器集成电路 - IC |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,NXP Semiconductors 74AHCT32D,11874AHCT |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 74AHCT32D,118 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 7.9ns @ 5V,50pF |
| 产品 | OR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
| 产品种类 | 逻辑门 |
| 传播延迟时间 | 5 ns |
| 低电平输出电流 | 8 mA |
| 供应商器件封装 | 14-SO |
| 其它名称 | 568-7615-1 |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOT-108 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极数量 | 4 Gate |
| 标准包装 | 1 |
| 特性 | - |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流-输出高,低 | 8mA,8mA |
| 电流-静态(最大值) | 2µA |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 2 V |
| 电路数 | 4 |
| 输入/输出线数量 | 2 / 1 |
| 输入数 | 2 |
| 输入线路数量 | 2 |
| 输出电流 | 25 mA |
| 输出线路数量 | 1 |
| 逻辑电平-低 | 0.8V |
| 逻辑电平-高 | 2V |
| 逻辑类型 | 或门 |
| 逻辑系列 | 74AHC |
| 零件号别名 | 74AHCT32D-T |
| 高电平输出电流 | - 8 mA |