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- 型号： 71V67903S80BQI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V67903S80BQI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V67903S80BQI价格参考。Integrated Device Technology71V67903S80BQI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V67903S80BQI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V67903S80BQI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V67903S80BQI 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款高速、低功耗CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K × 36位（即9Mb），采用80引脚PQFP封装，访问时间为8ns，工作电压为3.3V，支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备掉电模式以降低待机功耗。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：如路由器、交换机、基站中的数据包缓存、FIFO缓冲及地址/路由表暂存； - 工业控制系统：PLC、运动控制器中需高速、可靠数据暂存的实时处理模块； - 测试与测量仪器：示波器、逻辑分析仪等对采样数据进行高速缓存与预处理； - 嵌入式图像/视频处理系统：作为帧缓冲或中间计算结果暂存，满足低延迟读写需求； - 航空与国防电子：在抗干扰要求高、宽温运行的军用通信或雷达信号处理板卡中提供稳定存储支持（得益于工业级可靠性及无刷新特性）。 该器件不适用于大容量长期存储（如Flash或DDR），而是面向需要纳秒级随机访问、零等待状态、高可靠性且无需动态刷新的关键缓存场景。
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