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  • 型号: 71V65903S85BQ
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V65903S85BQ由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V65903S85BQ价格参考。Integrated Device Technology71V65903S85BQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V65903S85BQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V65903S85BQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V65903S85BQ 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速异步SRAM(静态随机存取存储器),容量为1Mb(128K × 8位),访问时间为85ns,采用3.3V单电源供电,封装为119球PBGA(BQ)。  

其主要应用场景包括:  
- 工业控制与自动化设备:用于PLC、运动控制器等需低延迟、高可靠数据缓存的实时系统;  
- 网络通信设备:在交换机、路由器中作为包缓冲、FIFO或查找表(如CAM辅助存储)的临时高速缓存;  
- 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪等需快速采集和暂存大量实时数据的场景;  
- 嵌入式系统与DSP协处理器接口:为数字信号处理器提供低等待周期的数据交换缓冲区;  
- 军事/航空电子(因该器件具备工业级温度范围及高抗干扰性):适用于对稳定性与响应速度要求严苛的加固型系统。  

该芯片不带内置电池或非易失特性,属易失性存储器,需持续供电维持数据;其异步接口兼容多种传统微控制器/ASIC总线时序,便于在Legacy系统中替代升级(如替代ISSI或Cypress同类SRAM)。  

注:该型号已进入产品生命周期后期(EOL),当前多用于既有设备维护或小批量工业项目,新设计建议评估瑞萨更现代的低功耗/更高密度SRAM替代方案。
产品参数 图文手册 常见问题
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