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  • 型号: 71V65903S80BQG
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V65903S80BQG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V65903S80BQG价格参考。Integrated Device Technology71V65903S80BQG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V65903S80BQG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V65903S80BQG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V65903S80BQG 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速异步SRAM(静态随机存取存储器),容量为2Mb(256K × 8位),访问时间为80ns,采用符合RoHS的PQFP-100封装(BQG后缀),支持3.3V单电源供电。

该器件主要面向对低延迟、高可靠性及确定性读写响应有严格要求的工业与嵌入式应用场景。典型应用包括:  
- 通信设备:如网络交换机、路由器中的数据包缓冲、FIFO缓存或地址查表(LUT);  
- 工业控制与自动化系统:PLC、运动控制器中作为实时数据暂存区,配合FPGA或DSP快速存取中间运算结果;  
- 测试测量仪器:数字示波器、逻辑分析仪等需高速采集并临时缓存原始采样数据;  
- 航空/国防嵌入式系统:在温度范围宽(–40°C 至 +85°C)、抗干扰要求高的环境中,提供无刷新、零等待的稳定内存支持;  
- 医疗成像设备:用于超声或内窥镜前端信号处理链中的帧缓存或图像预处理缓冲。

其异步接口设计简化了时序控制,无需时钟同步,便于与老一代MCU、CPLD或专用ASIC直接连接;而80ns访问时间保障了关键路径的数据吞吐能力。需注意:该型号已进入产品生命周期末期(EOL/Preliminary),新设计建议评估瑞萨当前主推的低功耗、更高密度SRAM替代方案。
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