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  • 型号: 71V65803S100BG
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V65803S100BG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V65803S100BG价格参考。Integrated Device Technology71V65803S100BG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V65803S100BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V65803S100BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IDT(Integrated Device Technology Inc.)的71V65803S100BG是一款高速、低功耗的3.3V CMOS静态RAM(SRAM),容量为2M×18位(即36Mb),采用100引脚BGA封装,访问时间为10ns。其典型应用场景包括:

- 网络通信设备:用于高端路由器、交换机和基站中的数据包缓存、FIFO缓冲、地址表/路由表临时存储,满足高吞吐与低延迟需求;  
- 工业与嵌入式系统:在实时控制、PLC、测试仪器等对可靠性与温度稳定性要求较高的场景中,作为主处理器(如DSP、FPGA或ASIC)的高速片外缓存或工作内存;  
- 视频/图像处理系统:支持多通道高清视频流的帧缓存、行缓冲或中间结果暂存,适用于广播级编码器、医疗影像设备等;  
- 军事与航空航天(需宽温版本):该器件提供工业级(–40°C ~ +85°C)及部分扩展温度选项,适用于加固型通信终端或航电系统中的关键数据暂存;  
- FPGA协处理平台:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为外部高速存储资源,用于算法加速、DMA数据交换或双端口共享内存(该型号支持独立字节使能,便于多总线系统集成)。

注:71V65803S100BG已于IDT被瑞萨电子(Renesas)收购后逐步纳入产品整合计划,当前供货及替代选型建议参考Renesas官方文档。
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