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- 型号： 71V547XS100PFG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V547XS100PFG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V547XS100PFG价格参考。Integrated Device Technology71V547XS100PFG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V547XS100PFG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V547XS100PFG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V547XS100PFG 是 IDT（Integrated Device Technology，现属瑞萨电子）推出的一款高速静态RAM（SRAM），属于异步CMOS SRAM，容量为64K × 16位（即1Mbit），访问时间100ns，采用100引脚TQFP封装（PFG后缀），工作电压3.3V。 该器件典型应用场景包括： - 通信设备：用于网络交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲或地址查表（如CAM辅助存储）； - 工业控制与嵌入式系统：作为微控制器或DSP的高速外部程序/数据缓存，满足实时性要求严苛的控制环路需求； - 测试测量仪器：在逻辑分析仪、示波器中暂存高速采集的原始采样数据； - 军事/航空电子：因具备宽温范围（–40°C 至 +85°C）和高可靠性，适用于加固型工控及航电系统的临时数据暂存； - 视频处理前端：在早期高清视频采集卡或图像帧缓冲模块中，用作行/场同步缓存或像素数据暂存区。 需注意：该型号已进入IDT产品生命周期末期（EOL），当前多被更低功耗、更高密度的QDR/SRL/DDR SRAM或片上内存方案替代，新设计建议评估替代型号（如Renesas的IS61WV系列或更现代的低功耗SRAM）。应用时应严格遵循其异步读写时序，配合适当的地址锁存与片选控制逻辑。
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