Datasheet下载- 型号： 71V424S10YG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V424S10YG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V424S10YG价格参考。Integrated Device Technology71V424S10YG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V424S10YG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V424S10YG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc）的71V424S10YG是一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM），主要应用于对数据读写速度要求较高的场景。该器件具有高速访问时间、低功耗和高性能的特点，适用于网络设备、通信系统、工业控制设备以及嵌入式系统等领域。例如，在路由器或交换机中，可用于缓存关键数据以提升处理效率；在工业控制系统中，用于实时数据存储与快速调用。此外，该型号SRAM也适用于测试仪器、医疗设备等需要可靠存储解决方案的应用场合。其宽温范围设计使其在恶劣环境中也能稳定工作，满足多种工业级应用需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | IDT |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 集成电路 - IC |
| 产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/71v424-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,IDT 71V424S10YG |
| 产品型号 | 71V424S10YG |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 商标 | IDT |
| 存储容量 | 4 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOJ-36 |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 180 mA |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | 71V424 |
| 组织 | 512 k x 8 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 零件号别名 | 71V424 IDT71V424S10YG |
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