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  • 型号: 71V416YL10PHGI
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V416YL10PHGI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416YL10PHGI价格参考。Integrated Device Technology71V416YL10PHGI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V416YL10PHGI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V416YL10PHGI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V416YL10PHGI 是 IDT(Integrated Device Technology,现属瑞萨电子)推出的高速异步静态RAM(SRAM),容量为256K × 4位(即1Mb),采用32引脚PLCC封装,工作电压3.3V,访问时间10ns,工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),后缀“G”和“I”表明其符合无铅(Pb-free)及工业级可靠性标准。

该器件典型应用于对读写速度、低延迟和高可靠性要求较高的嵌入式系统中,例如:  
- 工业控制设备中的实时数据缓存与寄存器映射内存;  
- 通信设备(如路由器、交换机、基站基带模块)中的帧缓冲、FIFO暂存或协议处理中间存储;  
- 医疗电子设备(如影像采集卡、监护仪主控板)中需确定性响应时间的关键缓冲区;  
- 航空航天与军工领域(得益于工业级温宽与可靠封装)的抗扰动嵌入式控制器本地内存;  
- 老旧FPGA/CPLD开发板或专用ASIC配套的高速外扩RAM,用于逻辑仿真、状态暂存或引导代码加载。

需注意:该型号已停产(EOL),属成熟但非主流新品,当前多见于维护升级或替代设计中,选型时建议评估生命周期风险并考虑瑞萨官方推荐的兼容替代料(如71V416SA系列或新型低功耗SRAM)。
产品参数 图文手册 常见问题
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