【未分类_71V416L12BEG】封装/厂家_71V416L12BEG中文资料_价格

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型号： 71V416L12BEG
制造商： Integrated Device Technology
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供71V416L12BEG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416L12BEG价格参考。Integrated Device Technology71V416L12BEG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载71V416L12BEG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416L12BEG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V416L12BEG 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为256K×4位（即1Mbit），访问时间为12ns，采用3.3V单电源供电，封装为44引脚TSOP-II（BEG后缀表示无铅、符合RoHS标准）。  

该器件主要面向对读写速度、低功耗和高可靠性有要求的嵌入式系统场景：  
- 工业控制设备：如PLC、运动控制器、HMI人机界面中用作高速缓存或临时数据缓冲；  
- 通信设备：在路由器、交换机、基站基带模块中承担帧缓存、FIFO或协议处理中间数据暂存；  
- 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需快速采集并暂存实时采样数据；  
- 汽车电子（非安全关键域）：车载信息娱乐系统（IVI）或ADAS辅助模块中的图像/传感器数据缓存（需注意其工业级温度范围–40°C ~ +85°C，但非AEC-Q100认证，故不用于动力或安全相关系统）；  
- 网络终端与多媒体设备：数字电视、机顶盒中用于视频解码过程中的行缓冲或OSD图形暂存。  

其异步接口、无需时钟管理、读写独立控制等特点，使其易于集成到传统微控制器或FPGA系统中，特别适合替代老式5V SRAM（如IS61LV256AL）的3.3V升级设计。  

注意：该型号已进入瑞萨的“NRND”（Not Recommended for New Designs）状态，建议新项目评估替代料（如瑞萨的ZSP系列或兼容SRAM）。

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