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  • 型号: 71V3577SYZC3G
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V3577SYZC3G由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3577SYZC3G价格参考。Integrated Device Technology71V3577SYZC3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V3577SYZC3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V3577SYZC3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V3577SYZC3G 是 IDT(现属瑞萨电子)推出的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为 256K × 18 位(即 4.5 Mbit),采用 100 引脚 TQFP 封装,工作电压为 3.3V,支持工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)。其典型访问时间低至 3.3 ns,具备低功耗、高可靠性与零等待状态读写特性。

该器件主要面向对实时性、确定性和数据完整性要求严苛的嵌入式系统应用场景,典型应用包括:  
- 通信基础设施:用于网络交换机、路由器、基站中的数据包缓存、FIFO 缓冲及控制表暂存;  
- 工业自动化设备:在 PLC、运动控制器、实时 I/O 模块中作为高速暂存区,支撑毫秒级响应的闭环控制;  
- 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量原始数据的场景;  
- 航空与国防电子:雷达信号处理、航电系统中的缓冲存储(因其工业级温度与高抗干扰性);  
- 医疗成像设备:如超声或数字 X 光系统中图像帧的快速暂存与预处理。  

需注意:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),当前多用于存量设备维护或替代设计评估,新项目建议参考瑞萨现行 SRAM 选型指南寻求升级方案。
产品参数 图文手册 常见问题
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