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- 型号： 71V3577S75BQ
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V3577S75BQ由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3577S75BQ价格参考。Integrated Device Technology71V3577S75BQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V3577S75BQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V3577S75BQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V3577S75BQ 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款高速同步静态RAM（SSRAM），容量为2Mb（256K × 8位），采用75MHz时钟（访问时间7.5ns），封装为100引脚PQFP（BQ）。其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用于路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲及地址查找表（如TCAM辅助缓存），满足高吞吐、低延迟需求； - 工业自动化与实时控制系统：作为PLC、运动控制器或数字信号处理器（DSP）的片外高速暂存器，支持确定性实时响应； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中用作深度采集缓存，可靠存储突发采样数据； - 军事/航空嵌入式系统：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和稳定性能，适用于抗干扰要求高的板载内存扩展； - 老一代通信协议处理卡：兼容PCI/PMC等总线接口（需配合控制器），常见于基站基带处理、ATM交换等遗留系统升级。 该器件不适用于大容量存储或非易失场景（如Flash替代），亦不支持DDR/SDRAM类动态刷新机制，需外部时钟与控制逻辑驱动。目前已逐步被更高速、低功耗的QDR SRAM或集成内存方案替代，但在部分存量工业与通信设备中仍具维护与替换价值。
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