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  • 型号: 71V3558SA166BQG
  • 制造商: Integrated Device Technology
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V3558SA166BQG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3558SA166BQG价格参考。Integrated Device Technology71V3558SA166BQG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V3558SA166BQG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V3558SA166BQG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V3558SA166BQG 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的一款高速异步SRAM(静态随机存取存储器),容量为256K × 16位(即512KB),访问时间为166MHz(即tAA ≤ 6ns),采用119引脚BGA封装(QFP/BGA兼容设计,QG后缀代表无铅、符合RoHS的Pb-Free封装)。

该器件主要面向对实时性、低延迟和高可靠性要求严苛的工业与嵌入式应用场景,典型应用包括:  
- 通信设备中的数据缓冲与包处理(如网络交换机、路由器的FIFO缓存、MAC层临时存储);  
- 工业自动化控制器(PLC、运动控制器)中作为CPU或DSP的高速本地工作内存,用于实时I/O数据暂存与算法中间结果缓存;  
- 测试测量仪器(如逻辑分析仪、高速示波器)的深度采集缓存,支持突发式高速数据捕获;  
- 航空航天及军工领域(因宽温范围–40°C至+85°C、高抗干扰性及长期供货保障)中的关键控制子系统;  
- 需要零等待状态、确定性访问时序的FPGA协处理器本地存储,常与Xilinx/Intel FPGA搭配用于高速接口桥接或协议转换。

其异步接口无需时钟同步,简化时序设计;支持独立字节写使能(UB/LB),提升数据操作灵活性;并具备低功耗待机模式,适用于对能效敏感的嵌入式系统。需注意:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),瑞萨官网显示其为“Not Recommended for New Designs”,新项目建议评估替代型号(如IS61WV系列或瑞萨新型低功耗SRAM)。
产品参数 图文手册 常见问题
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