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- 型号： 71V3556S133PFGI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V3556S133PFGI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3556S133PFGI价格参考。Integrated Device Technology71V3556S133PFGI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V3556S133PFGI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V3556S133PFGI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V3556S133PFGI 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）出品的一款高速同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为2Mb（256K × 8位）容量、133MHz工作频率、3.3V供电的CMOS低功耗SRAM，采用100引脚TQFP封装（PFGI表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C），支持流水线读/写操作和突发访问模式。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：如交换机、路由器中的数据包缓冲、FIFO缓存及地址查找表（LUT）暂存； - 工业自动化与嵌入式系统：用于PLC、运动控制器等对实时性要求高的场景，提供低延迟、确定性访问的高速缓存； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中作为深度采集缓存，支持连续高速数据捕获； - 军事/航空航天（因工业级温宽与高可靠性）：用于雷达信号处理、实时图像暂存等需稳定运行的严苛环境。 该芯片不适用于大容量长期存储（如Flash或DDR），而是作为CPU或FPGA的高速片外缓存，弥补主处理器与慢速存储间的性能鸿沟，强调低访问延迟（约7ns读周期）、零等待状态及高可靠性。
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