Datasheet下载- 型号： 71V016SA20BFI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA20BFI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA20BFI价格参考。Integrated Device Technology71V016SA20BFI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V016SA20BFI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V016SA20BFI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V016SA20BFI 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）出品的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1 Mb（128K × 8位），访问时间20 ns，采用3.3 V单电源供电，封装为44引脚FBGA（BGA-44），工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），符合无铅（RoHS）标准。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器、HMI人机界面等，需快速、可靠的数据缓存与实时状态暂存； - 网络通信设备：用于交换机、路由器中的数据包缓冲、FIFO暂存或地址表缓存，利用其零等待、低延迟特性提升吞吐效率； - 嵌入式系统与DSP协处理：在数字信号处理器（如TMS320系列）或FPGA外围作为高速本地数据存储，支撑音频/视频实时处理、电机控制算法等对时序敏感的任务； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪中用作采样数据缓存，满足高带宽、确定性读写需求； - 汽车电子（非安全关键模块）：车载信息娱乐（IVI）或车身控制模块中，用于临时日志记录、配置缓存等，依托其工业级温度特性和高可靠性。 该器件不适用于需要掉电数据保持（需EEPROM/FRAM）或大容量存储（如SDRAM/Flash）的场景，核心价值在于确定性高速随机访问与稳定工业环境适应性。
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