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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA10PH由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA10PH价格参考。Integrated Device Technology71V016SA10PH封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V016SA10PH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V016SA10PH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V016SA10PH 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为1 Mbit(128K × 8位),访问时间为10 ns,采用3.3V单电源供电,封装为44-pin Plastic Leaded Chip Carrier(PLCC),符合工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)。 其典型应用场景包括: - 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、运动控制器和HMI人机界面,需快速、可靠的数据缓存与实时暂存; - 通信基础设施:在路由器、交换机及基站中的帧缓冲、FIFO暂存或协议处理单元中,提供低延迟读写支持; - 嵌入式系统与数据采集设备:用于高速ADC/DAC数据缓冲、实时信号处理中间存储,满足确定性时序要求; - 测试测量仪器:如数字示波器、逻辑分析仪等,依赖SRAM实现高速采样数据的临时存储; - 军事/航空航天相关加固设备(选用工业级版本):在高可靠性、抗干扰、宽温环境下作为关键状态寄存器或配置缓存。 该器件不带内置电池或非易失性,属易失性存储器,需持续供电维持数据。其异步接口简化了与FPGA、DSP或老式微控制器(如8051、Z80或ColdFire系列)的连接,无需时钟同步设计,适合对时序控制要求严苛但主控资源有限的系统。 注意:该型号已进入瑞萨的“NRND”(Not Recommended for New Design)状态,建议新项目评估替代型号(如IS61WV102416BLL等),但现有设备维护及产线延续仍广泛使用。