图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA10BFGI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA10BFGI价格参考。Integrated Device Technology71V016SA10BFGI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V016SA10BFGI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V016SA10BFGI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V016SA10BFGI 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为1 Mb(128K × 8位),访问时间为10 ns,采用3.3 V单电源供电,封装为54引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),工作温度范围为–40°C 至 +85°C(工业级,后缀“I”表示工业温度)。 其典型应用场景包括: - 嵌入式系统缓存与缓冲:用于微控制器、DSP或FPGA的高速数据暂存,如通信协议处理、实时信号采集中的帧缓冲; - 网络设备:在交换机、路由器中作为包缓冲存储器,支持低延迟数据转发; - 工业控制与自动化:在PLC、运动控制器中存储运行时变量、I/O映射表或实时日志,受益于其无需刷新、确定性访问和宽温可靠性; - 测试测量仪器:如数字示波器、逻辑分析仪中用作高速采样数据缓存; - 航空航天与国防相关加固设备(需配合筛选版本):因其FBGA封装和工业级温度特性,适用于对稳定性与抗振性有要求的场景。 需注意:该型号已进入“NRND”(Not Recommended for New Designs)阶段,瑞萨官网建议新设计选用更现代的低功耗、更高密度替代品(如IS61WV系列兼容型号或新型QDR/DDR SRAM)。但现有设备维护、产线延续及工业存量系统中仍广泛使用。