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  • 型号: 71P74604S250BQ
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71P74604S250BQ由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71P74604S250BQ价格参考。Integrated Device Technology71P74604S250BQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71P74604S250BQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71P74604S250BQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

该型号“71P74604S250BQ”实为IDT(Integrated Device Technology,现属瑞萨电子)生产的高速异步静态RAM(SRAM),容量为4Mb(512K × 8位),访问时间25ns,采用3.3V供电,封装为SOJ-32或TSOP-32(具体以BQ后缀对应封装为准)。需特别说明:“品牌为-”应为信息缺失,实际品牌为IDT(现瑞萨);“分类为存储器”准确,属于工业级高速SRAM。

典型应用场景包括:  
1. 通信设备:用于网络交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及控制表暂存,满足低延迟、高可靠需求;  
2. 工业控制与自动化:在PLC、运动控制器中作为实时数据暂存区,支持快速读写与宽温(-40℃~85℃)运行;  
3. 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪等需高速采集与临时存储的场景;  
4. 军事/航空电子系统:因具备抗干扰强、无刷新、数据保持稳定等特性,适用于关键嵌入式控制模块。  

该器件不适用于大容量存储(如硬盘/SSD)、代码长期存储(非Flash)或消费类低功耗设备。目前已逐步被更高速、更低功耗的QDR SRAM或片上存储替代,但仍见于部分存量工业及军工设备的维护与替换需求中。
产品参数 图文手册 常见问题
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