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  • 型号: 71256L35YI
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71256L35YI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71256L35YI价格参考。Integrated Device Technology71256L35YI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71256L35YI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71256L35YI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71256L35YI 是由 Integrated Device Technology(IDT,现属瑞萨电子)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K×1位(即32KB),访问时间35ns,采用CMOS工艺,工作温度范围为–40°C至+85°C(工业级,“I”后缀),封装形式通常为28引脚SOIC或DIP。

该器件属于存储器类别,品牌为IDT(Integrated Device Technology)(非“-”;若用户所填“-”为占位符或信息缺失,实际品牌应为IDT)。

典型应用场景包括:  
- 工业控制设备中的高速缓存或数据缓冲,如PLC、运动控制器;  
- 通信设备(如路由器、基站接口模块)中用于暂存协议处理中间数据;  
- 医疗电子设备(如影像采集前端、实时监护仪)对低延迟、高可靠性SRAM的需求场景;  
- 航空航天与军工领域(得益于其工业级温度范围和稳定时序)的嵌入式系统,作为CPU或DSP的片外高速缓存;  
- 老旧但仍在维护的嵌入式系统升级或备件替换(因其为经典异步SRAM,兼容多种8/16位微控制器总线)。

注意:该型号已停产多年,当前多用于存量设备维护、替代选型或教学演示。现代设计中通常被更低功耗、更高密度的同步SRAM或片上RAM替代。
产品参数 图文手册 常见问题
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