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- 型号： 71256L35Y
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71256L35Y由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71256L35Y价格参考。Integrated Device Technology71256L35Y封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71256L35Y参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71256L35Y 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America Inc. 的型号 71256L35Y 是一款高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K×1位（即32KB），访问时间为35ns，采用双列直插封装（DIP）或陶瓷DIP（CDIP），工作电压为+5V。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：用作PLC、CNC控制器或数据采集系统的高速缓存或临时数据缓冲区，满足实时响应需求； - 通信设备：在早期数字程控交换机、调制解调器或网络接口卡中承担帧缓冲、协议处理中间存储等功能； - 测试与测量仪器：如逻辑分析仪、示波器的高速采样数据暂存，利用其零等待周期和稳定时序特性； - 嵌入式系统与老式工控主板：作为主处理器（如Z80、8086/8088等）的片外高速RAM，扩展内存空间； - 军事与航空航天领域（因部分版本具宽温/高可靠性）：用于需长期稳定运行、抗干扰能力强的嵌入式子系统。 需注意：该器件属较早期产品（1990年代主流），目前已停产，多见于维护升级中的老旧设备或特定高可靠性替代场景。现代设计中通常被更低功耗、更高密度的异步/同步SRAM或片上内存替代。应用时需关注其5V TTL电平兼容性及无内置刷新机制（SRAM无需刷新）等特点。
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