Datasheet下载- 型号： 5LP01S-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LP01S-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LP01S-TL-E价格参考。ON Semiconductor5LP01S-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LP01S-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LP01S-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 5LP01S-TL-E 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 TSOP-6 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 120 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低阈值电压（VGS(th) 约 −0.5 V 至 −1.2 V）及低功耗特性。其典型应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低静态电流和快速开关能力实现高效启停控制； • USB 接口过压/反向电流防护：作为反向阻断开关，防止电池通过 USB 端口倒灌放电； • LED 驱动与背光控制：在小型 LCD 屏幕或指示灯电路中用作低侧开关，支持 PWM 调光； • DC-DC 转换器同步整流辅助开关（限低压轻载场景）：配合主控芯片优化效率； • IoT 传感器节点电源域隔离：在超低功耗待机模式下切断非必要外设供电，延长电池寿命。 该器件额定电压为 −20 V，连续漏极电流仅 0.7 A（TA = 25°C），适用于低压（≤3.6 V 电池供电）、小电流（<1 A）、空间受限的嵌入式系统，不适用于高功率或高温工业环境。设计时需注意栅极驱动兼容性（尤其与 1.8 V/3.3 V MCU 直接连接时）及 PCB 散热布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 70MA SMCPMOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 70 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 70 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 5LP01S-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 5LP01S-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.4pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-523-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70mA （Ta） |
| 系列 | 5LP01S |
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