Datasheet下载- 型号： 5LN01SS-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01SS-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01SS-TL-E价格参考。ON Semiconductor5LN01SS-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LN01SS-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LN01SS-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的5LN01SS-TL-E是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：该MOSFET可用于开关电源中的功率转换电路，作为高频开关元件，控制电压和电流的传输。 - DC-DC转换器：在降压或升压转换器中，5LN01SS-TL-E可用作主开关管，实现高效的直流电压转换。 - 负载开关：用于便携式设备中的负载开关，控制不同模块的供电状态，降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于低功率电机驱动电路，如风扇、玩具电机等，提供精确的开关控制。 - H桥电路：在H桥电路中用作驱动元件，控制电机的正转、反转和刹车。 3. 信号切换 - 信号隔离与切换：在需要快速切换信号的应用中，如音频信号切换、传感器信号隔离等，该MOSFET可提供低导通电阻和高开关速度。 4. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护电路：用于锂电池或镍氢电池的过流、短路保护电路，确保电池安全。 - 充放电控制：通过控制MOSFET的导通与关断，实现对电池充放电过程的精准管理。 5. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、蓝牙音箱等，用于电源管理单元 (PMU) 或外围电路控制。 - USB充电接口：在USB充电电路中用作限流保护或开关元件。 6. 工业控制 - 继电器替代：在某些工业应用中，5LN01SS-TL-E可以用作固态继电器，替代传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 - 信号放大与驱动：用于驱动LED灯条、小型电磁阀或其他低功率负载。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，如开关电源和脉宽调制 (PWM) 电路。 - 小封装尺寸：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 综上所述，5LN01SS-TL-E广泛应用于各种低功率、高频开关场景，特别适合对效率和空间要求较高的电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA SSFPMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 5LN01SS-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 5LN01SS-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| Qg-GateCharge | 1.57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.57 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSFP |
| 典型关闭延迟时间 | 190 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
| 系列 | 5LN01SS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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