Datasheet下载- 型号： 5LN01M-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01M-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01M-TL-E价格参考。ON Semiconductor5LN01M-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LN01M-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LN01M-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的5LN01M-TL-E是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723超小型封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为3.5Ω @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和低阈值电压（Vgs(th)：–0.3V至–1.0V）。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表等内部的负载开关、电池保护电路或背光LED驱动，利用其超小尺寸与低功耗特性节省PCB空间。 2. 电池供电系统中的反向电流阻断：在USB Type-C接口、充电管理IC后端或双电池切换电路中，作为理想二极管替代方案，防止电池倒灌。 3. 低功耗逻辑电平转换与信号开关：适配1.2V–1.8V I/O电压的MCU/SoC，可直接由低压GPIO驱动，用于传感器使能控制、通信线路（如I²C上拉开关）等。 4. 空间受限的IoT终端节点：如NB-IoT模组、无线传感器节点中，用于电源域隔离、外设供电启停控制等。 该器件不适用于高功率或高频开关场景（如DC-DC主开关），但凭借微型封装、低静态电流（Idss < 100nA）及AEC-Q200兼容性（部分批次），也常见于车载信息娱乐系统中的辅助负载控制。需注意其额定电压仅20V（Vds），最大连续漏极电流仅200mA（Ta=25℃），设计时须留足降额余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 0.1A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5LN01M-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 供应商器件封装 | SC-70 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
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