Datasheet下载- 型号： 5KP85E3/TR13
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5KP85E3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5KP85E3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.5KP85E3/TR13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5KP85E3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5KP85E3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
5KP85E3/TR13 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5kW 表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于单向TVS，击穿电压典型值为94.4V，钳位电压约137V（在5kA峰值脉冲电流下），主要应用于中高功率级别的瞬态过压防护。 典型应用场景包括： - 工业控制系统中的电源输入端口（如24V/48V DC供电系统），抵御雷击感应浪涌、开关噪声及电感负载关断引起的反向电动势； - 通信设备（如基站电源、PoE受电设备）的直流馈电线路保护； - 交通运输领域（轨道交通、车载电子）中110V或72V辅助电源系统的ESD与EFT联合防护； - 太阳能逆变器直流侧输入端，配合MOV协同抑制雷电浪涌（IEC 61000-4-5 Level 4，4kV/2Ω组合波）； - 医疗设备、PLC模块等对可靠性要求高的嵌入式电源接口，提供快速响应（<1ns）、低箝位的二级过压保护。 该器件采用DO-214AB（SMC）封装，具备高浪涌承受能力（5000W，10/1000μs波形）、低漏电流（<5μA @ 68.4V）和稳定温度特性，适用于宽温工业环境（–65°C 至 +175°C）。需注意其单向结构仅适用于直流或有明确极性的电路，交流应用需配对使用或选用双向型号。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 85VWM 151VC P600 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11087-sd6a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5KP85E3/TR13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | P600 |
| 功率-峰值脉冲 | 5000W （5kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | P600，轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-击穿（最小值） | 94.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 85V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 151V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 33.1A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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