【未分类_5HN01M-TL-E】封装/厂家_5HN01M-TL-E中文资料_价格

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型号： 5HN01M-TL-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供5HN01M-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5HN01M-TL-E价格参考。ON Semiconductor5HN01M-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载5HN01M-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5HN01M-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

5HN01M-TL-E 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 1.2Ω @ Vgs=4.5V）、低阈值电压（Vth ≈ 0.5–1.2V）和小尺寸特点，适用于低压、小电流开关场景。

典型应用场景包括：  
✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或LED背光驱动，利用其低功耗与快速开关特性实现高效启停控制。  
✅ 电池供电系统保护电路：在锂电池供电的IoT传感器节点或可穿戴设备中，用作反向电流阻断、电池充放电路径切换或过流保护开关。  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在微型升压/降压模块（如为MCU或RF芯片供电的3.3V/1.8V电源）中，替代肖特基二极管以提升转换效率（尤其在轻载时）。  
✅ 逻辑电平兼容接口驱动：因Vth较低，可直接由1.8V/3.3V MCU GPIO驱动，常用于驱动微型马达、蜂鸣器、继电器线圈等小型负载。  

注意：该器件最大漏源电压Vds=20V，连续漏极电流Id=150mA（Ta=25℃），不适用于高功率或高压场景。设计时需关注PCB散热及栅极驱动稳定性，避免振荡。  

综上，5HN01M-TL-E 主要面向空间受限、低压（≤5V）、低功耗（<1W）的嵌入式与消费类电子开关应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	100 mA
Id-连续漏极电流	100 mA
品牌	ON Semiconductor
产品目录	半导体
描述	MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
产品分类	分离式半导体
产品手册
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 5HN01M-TL-E
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	5HN01M-TL-E
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.8 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	5.8 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	50 V
Vds-漏源极击穿电压	50 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	11 ns
下降时间	75 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	105 ns
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	5.8 Ohms
封装	Reel
封装/箱体	3-MCP-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
汲极/源极击穿电压	50 V
漏极连续电流	100 mA
系列	5HN01M
通道模式	Enhancement

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