Datasheet下载- 型号： 3N164
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3N164由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3N164价格参考。Vishay3N164封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3N164参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3N164 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 3N164 是一款早期的 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），非 MOSFET（需特别注意：该器件属于 JFET，而非 MOSFET；其数据手册明确标注为“N-Channel JFET”，分类误标为“MOSFET”属常见混淆）。它具有低噪声、高输入阻抗、无需偏置电流等 JFET 典型特性，典型参数包括：IDSS ≈ 12–25 mA，VP（夹断电压）≈ –2.5 至 –6 V，跨导 gm ≈ 4–8 mS。 主要应用场景包括： 1. 音频前置放大器：因其固有低噪声和高输入阻抗，适用于麦克风、电吉他拾音器等高阻信号源的缓冲与放大级； 2. 模拟开关与可变增益控制：利用其电压控制的电阻特性，用于简单电子音量调节或信号通断； 3. 恒流源/电流镜电路：配合合适偏置可构建稳定的小电流源（如几毫安级），用于传感器偏置或LED驱动； 4. 振荡器与定时电路：在低频 RC 振荡器（如相移振荡器）中作有源器件； 5. 工业传感接口：用于高阻抗传感器（如压电传感器、光电二极管）的信号调理前端。 需注意：3N164 为通孔封装（TO-92），已停产多年，现多用于维修老式仪器（如 vintage 测试设备、模拟合成器、早期示波器探头放大器）或教学演示。设计新项目时不推荐选用，应考虑 Vishay 或其他厂商的现代低噪声 JFET（如 J113、LSK389）或精密 CMOS 运放方案替代。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3N164 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 欧姆 @ 100µA， 20V |
| 供应商器件封装 | TO-72 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 标准包装 | 200 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50mA （Ta） |
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